电参数测试：首先，通过参数分析仪对半导体器件进行电参数测试，包括电流-电压（I-V）特性、电容-电压（C-V）特性测试。这些测试可以帮助识别器件的电气性能是否符合规格，如是否存在电流泄漏、电压异常等现象。
温度效应分析：在不同的温度条件下进行测试，观察器件性能的变化。温度变化可以揭示器件的热稳定性问题，如热失控或热失效。
动态性能测试：测量器件的动态参数，如频率响应和增益，以评估其在高频工作状态下的性能。
故障隔离：当测试显示出异常时，使用参数分析仪的精密探针功能对器件的内部节点进行探测，以隔离故障区域。这可能涉及到逐步剥离器件的封装，以暴露出芯片的各个部分进行测试。
光学和显微镜检查：使用光学显微镜或电子显微镜观察器件的表面和横截面，检查是否存在物理损伤、裂纹、材料缺陷或工艺问题。
X射线和超声波检测：利用X射线和超声波扫描显微镜进行非破坏性检测，以发现内部的结构问题或组装缺陷。
化学分析：对器件进行化学解封后，使用扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱（EDX）等技术进行化学成分分析，以识别材料的组成和可能的污染物。
电学建模和仿真：通过电学建模和仿真，模拟器件在理想状态下的性能，并与实际测试结果进行比较，以识别性能偏差的原因。
失效模式分析：根据测试结果，分析器件的失效模式，如开路、短路、参数漂移等，并推断出可能的失效机理。
故障树分析：构建故障树，通过逻辑门电路的方式，分析各种故障原因与失效模式之间的关联，以确定最可能的故障原因。
